本文是根據華碩B85-PRO GAMER的點位圖，學習月餅老師發的一張8系時序圖的記錄，學習中還參考了網上一位姓朱的老師的視頻，文中幾個圖也是在這位朱老師的圖的基礎上修改得來的。月餅老師的那個帖子我搜了好一陣子，沒搜到，所以這里不發鏈接了。朱老師的名字我翻了他的短視頻也未得到。在此，對他們兩位表示感謝。文中必有很多錯誤，老師們看到了請費心指正。
編寫本文時，由于想把系統啟動的過程分作幾個大過程，每個大過程內又分若干小環節，這樣26個時序就不那么突出了，在WORD文檔中，這可以用目錄和書簽索引兼顧，但是發在論壇里，我就不知怎么編制“時序索引”了，所以最后只好把26個時序序號用大的紅色的字體突出出來，像這個樣子：①、②、③、……11、12、13、……
編寫這樣的帖子太費精力，還想寫150/250/350這一套板子的時序詳解，不知要在什么時候才能寫出來，因為我還沒有學習到。
華碩這款板子的點位圖和電路圖參見這個帖子：https://www.chinafix.com/thread-1365592-1-1.html
Intel 8系時序學習
華碩B85-PROGAMER ver:1.01主板時序及相關電路描述
每一塊主板開機都必須遵照其所屬平臺的時序規定一步步進行，弄明白每一類主板的上電時序、能夠分析各部分電路的機理，是維修的基礎。
圖1 Intel 8系列芯片組標準時序
一、主板裝入電池
1.CMOS電路
CMOS電路是主板上最先開始工作的電路。在主板上，CMOS是PCH中的一個存儲器，其中存儲日期、時間、硬盤參數等計算機的配置信息，這些信息在主板第一次開機過程中被配置并保存，所以首次開機會相對慢一點兒；如果硬件沒有變動，第二次開機就不需要再配置了，啟動便會較快。給CMOS供電的電路、CMOS存儲器、保持日期和時間信息實時更新的RTC電路，可以統稱為CMOS電路。CMOS電路需要一直有2.7V以上的直流供電才能正常運行，CMOS供電有兩個來源：一個是板載電池，一個是由ATX電源提供的5VSB轉換得到的3.3VSB。
圖 2 CMOS電路示意圖
2. RTC電路時序說明
+BAT_3V來自板載電池或者+3VSB_ATX。
① +BAT_3V，①與橋的VCCRTC腳位直連，給橋內部CMOS模塊持續供電；②與IO芯片NCT6791D的99腳直連，為IO高級睡眠狀態控制模塊供電。注：Advanced Sleep State Control (ASSC) Function 高級（相較于ACPI）睡眠狀態控制功能，用于控制S3或S5狀態下的系統電源。
② +BAT_3V經過電阻SR121，改名為S_SRTCRST#，復位橋內部的ME模塊。
+BAT_3V經過跳線排針CLRTC 的1、2腳，改名為S_RTCRST#_R ，再經過電阻SR119改名為S_RTCRST#，給橋內部CMOS單片機復位（低電平時清除CMOS存儲器中的原有配置信息）。
+BAT_3V經過電阻SR75，改名為S_INTVRMEN（Internal Voltage Regulation Model Enable的簡寫），給PCH內部的1.05VME電壓調節模塊送去開啟信號。如果此信號被設定為低電平，那么橋就一定不提供內部的1.05V ME電壓轉換功能，而需要外供1.05V ME電壓。
+BAT_3V經過電阻SR71，改名為S_INTRUDER_HDR（機箱入侵檢測信號），機箱被打開后，該信號被置為低電平，蜂鳴器發出告警聲。
+BAT_3V經過電阻SR74，改名為S_DSWVRMEN，給橋內深度睡眠功能模塊的1.05V穩壓器送去開啟信號。如果S_DSWVRMEN被設定為低電平，則橋需要外部提供1.05V的深度睡眠待機電壓。4代主板采用，6-13代主板都已不再采用。
③ 橋的VCCRTC腳獲得3V左右的+BAT_3V 供電后，RTC子電路開始工作，產生32.768KHZ頻率，為主板提供計時。SX1為晶體振蕩器，SR3為反饋電阻（10M歐），SC1和SC2為諧振電容（都是10pf，分別連接反饋電阻的其中一端），這些元件與南橋中的反相器組成一個皮爾斯振蕩器。
圖3 CMOS電路點位圖
二、主板插入ATX電源后，待機電路工作，橋復位
1. +3VSB待機電路時序總述
ATX電源得到市電后，其第9針（紫色線）便能夠產生5V電壓，此電壓被稱為+5VSB；而后，ATX電源的內部控制電路也會在第16針（綠色線PSON）上產生5V的電壓，綠色線上電壓如果被拉低，ATX電源便會輸出各路供電。
當主板插入ATX電源后，+5VSB_ATX經過PC305、PC300兩個貼片電容濾波后，送入PU300的第3腳，經過PU300內部調整后，在第2腳輸出3.3V，改名為+3VSB_ATX.
PU300是個線性穩壓器GS1185LDF（LDO，封裝形式TO-252），其第1腳為輸出電壓調整腳P_3VSB_ATX_ADJ_10（Adjust，調整），從其第2腳輸出的3.3V電壓再經PR300(1.15K歐)和PR301(2K歐)分壓后送入第1腳，PU300根據1腳傳入的這個電壓再對2腳輸出的電壓進行微調，以便輸出更加精確的電壓。正常情況下，1腳電壓在2.18V左右。
不同主板采用的線性穩壓器也不同，維修時可以使用點位圖，從ATX電源座的第9腳入手找到這個芯片。有的故障表現為這個產生3.3VSB電壓的LDO芯片（線性穩壓器）發燙，這種故障，這個LDO大多是沒有損壞的，其發燙往往是下級電路有短路或者接近短路而過流導致的。
+3VSB_ATX直接送入IO（ NCT6791D）的46腳和85腳，為IO內部的待機電路供電。
圖 4 5VSB→3VSB轉換電路
圖5 待機電路示意圖
④ VCCDSW3_3（深度睡眠3.3V供電）：+3VSB_ATX送入PQ301（P溝道MOS管）的S極，PQ301的柵極名為P_+3VSB_SW_10，意思是控制向PCH送+3VSB電壓的開關，柵極電壓受控于IO芯片NCT6791D的第70腳O_DEEPS5，當“（O_DEEPS5上的電壓）-（+3VSB_ATX）”≦-0.4V時，PQ301便導通，在D極送出+3VSB，+3VSB 經0歐姆電阻S1R1550后，改名為+3VSB_ERP送入南橋共3個名稱以VCCDSW3_3開頭的針腳。
注：
高級睡眠狀態控制（ASSC）功能，是在ACPI基礎上增加的一個新的節能狀態DeeperSleeping State（本主板命名為O_DEEPS5），在這個狀態下，主板上的5VSB被關閉，但是+3V保持供電。如果在BIOS中啟用了該功能，O_DEEPS5上的電壓在深度休眠狀態下為3.3V，在S0、S1、S2、S3、S4、S5狀態下皆為0。如果在BIOS中禁用了該功能，O_DEEPS5上的電壓在任何狀態下皆為0。所以在待機狀態（即S5狀態，而非DEEEPS5狀態）下，PQ301的G極電壓為0V，那么PQ301導通。參見“圖 4 5VSB→3VSB轉換電路”。此僅為個人理解。
同時，+3VSB_ERP從ORN214排阻的第6腳傳到第5腳，改名為O_RSMRST#，傳入IO的101腳（O_RSMRST#），復位IO的睡眠喚醒功能。
⑤ DPWROK（深度睡眠供電好）: +3VSB_ERP經ORN214排阻，改名為O_RSMRST#后，還經0歐姆電阻SR142傳入PCH 的DPWROK腳（信號名稱S_DPWROK）。
⑥ SLP_SUS#：PCH發給IO的信號（3.3V），令IO開啟PCH的VCCSUS3_3供電（主待機供電）。不支持深度睡眠時，SLP_SUS#懸空。本機未采用此信號，而是將VCCSUS3_3與VCCDSW3_3的控制權交給了IO的O_DEEPS5（70腳）。
⑦ VCCSUS3_3：本主板與VCCDSW3_3采用了相同的供電電路，都由+3VSB_ERP 供電，PCH共有9個VCCSUS3_3開頭命名的針腳，為南橋在待機狀態下的各種睡眠狀態功能供電。
⑧ RSMRST#: +3VSB_ERP經ORN214排阻，改名為O_RSMRST#后，還傳入PCH的RSMRST腳，復位南橋的睡眠喚醒功能，以便等候開機。Resume Reset（重新開始，復位），該信號由IO產生并送往PCH，它的功能是復位南橋內部集成的電源管理邏輯電路（ACPI控制器）。當RSMRST＃為低時，ICH內部寄存器中表示供電狀態的Power Failure值會被設為1，這意味著南橋認為主板此刻的待機供電不正常，就無法觸發（RSMRST#信號也可以理解為IO將“待機電壓正常”告知南橋芯片的信號）。RSMRST#可以在I/O、集成網卡等元件上量測得到，高為正常。實際維修中，RMSRST#信號不正常多由 I/O或網卡不良引起。
SUSCLK（掛起時鐘）：南橋收到RSMRST#后，南橋內RTC電路便產生掛起時鐘，用于芯片內部刷新電路刷新外部芯片的時鐘。該信號在維修中可以忽略。
圖 6
2. ME供電電路
ME供電芯片PU3002（RT8065）的開啟信號是橋發出的S_SLP_A#，也只有在橋發出S_SLP_A#后，ME供電芯片產生的P_+1.05ME_PGOOD_10才能通過0歐姆電阻PR3084向橋送出S_MEPWROK信號（通過PQ3020、PQ3021兩個NPN三極管實現S_SLP_A#對S_MEPWROK信號傳送的控制），“S_SLP_A#信號在待機狀態下便由PCH產生”是該類型主板的特殊之處。
SLP_A#信號：橋發出的主動睡眠電路（Active Sleep Well，簡稱 ASW）電源開啟信號，用于開啟 ME模塊供電 如果主板支持AMT并開啟AMT功能，此信號會在觸發前就產生；關閉AMT 功能，此信號在橋接收到O_PWRBTN#后發出的。 如果主板不支持AMT，SLP_A#懸空不采用。
ME供電電路故障不會影響觸發，但是會造成反復重啟不亮機。對于編寫本文依照的主板“華碩B85-PRO GAMER”來說，BIOS默認情況下，ME供電電路是在待機狀態下便工作的，所以放在此部分介紹；但是，ME供電電路又并不是觸發的條件而是亮機的必要條件，而且很多主板是在觸發后此電路才工作的，所以放在開機電路部分介紹，也是合適的。
“華碩B85-PRO GAMER”主板，其ME供電（包括P_+1.05ME_LX_10和P_+1.05ME_PGOOD_10），由芯片PU3002（RT8065）產生，該芯片的工作電源來自于由PQ300+PR1552(0歐)傳送來的+5VSB_ATX；該芯片的工作開啟信號是PCH發出的S_SLP_A#，該信號在待機狀態下便由PCH產生。
S_SLP_A#是主板AMT主動管理技術模塊復位的意思，如果主板沒有AMT功能，該信號就懸空不采用。有的主板采用SLP_A#作為待機狀態下USB口的供電開關。
ME供電正常后，PU3002（RT8065）還會向PCH發送S_MEPWROK信號——橋側稱為APWROK.
很多主板的ME供電是采用橋的1.05V或者有別于橋的1.05V供電的MOS管單獨產生的，這樣設計的話，ME供電在觸發后才會有。
PU3002（RT8065）的工作原理。其供電來自于4腳的+5VSB_ERP。
圖7 PCH的ME供電電路
三、按下開機鍵后
1. 觸發電路
如圖 8，在待機狀態下（也可參考圖 4），+3VSB_ATX除了直接或者間接送往IO和PCH，以對這兩個芯片的待機功能供電和復位橋ACPI功能以外，還經過排阻ORN214的8、7兩腳送給前面板接線排針的開機針腳SW+(O_PWRBTN#IN)。在未按下開機鍵時，排阻ORN214的8-7電阻（8.2KOhm），起電壓上拉作用，讓SW+針上保持穩定的3.3V電壓；在按下開機鍵時，排阻ORN214的8-7電阻，起限流作用，不至于對地有大電流通過。
前面板接線排針的開機針腳SW+還經過電阻OR210（100Ohm）連接IO芯片的第61腳（O_PWRBTN#IN_R，這個信號后綴為“_R”，表示相對于O_PWRBTN#IN，此腳為信號接收者），電阻OR210也是限流電阻，是讓IO的61腳上殘存的電荷不至于瞬間全部釋放而對IO造成擾動。
圖 8
⑨ PWRBTN#：當按下前面板的開關鍵時，前面板接線排針的開機針腳SW+與SW-（地線）被短接，IO的61腳上的電壓由3.3V被拉低為0V，松下開關鍵，IO的61腳上的電壓重新恢復為3.3V，這樣就形成了① “高→低→高”的跳變信號；然后②IO稍作延遲會將該跳變信號通過60腳（O_PWRBTN#）直接發送給PCH的AK41腳，相當于通知PCH——“主人，有顧客上門了，準備接單干活吧！我要對你供電了，行嗎？”圖 10為示波器同時抓取O_PWRBTN#IN_R和O_PWRBTN#的波形，從中可以看出O_PWRBTN#波形比O_PWRBTN#IN_R波形略有延遲。
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圖 9
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⑩ S_SLPS5#/11、S_SLPS4#/12、S_SLPS3#：PCH接到O_PWRBTN#這個通知，并且也收到了S_MEPWROK_PCH后，會產生S_SLPS5#信號，然后向IO和TPU先后發送⑤S_SLPS4#和⑥S_SLPS3#兩個信號（即告訴IO：我的休眠、睡眠功能都已準備好了，隨時可以蘇醒以開始工作了，你全面供電吧）。
IO和TPU收到橋發出的S_SLPS4#和S_SLPS3#兩個信號后，立即配合⑦將ATX供電的原來5V高電平的PSON#（O3_PSON#）拉低到0V;
于是，⑧ATX電源便進入全狀態工作模式，開始輸出+3V、+5V、+12V，CPU核心供電電路便開始工作。
13、VDIMM：內存供電是ATX電源便進入全狀態工作模式后最先產生的供電，橋1.05V供電是對內存供電二次轉換后得到的。內存電路分為兩部分——5VDUAL供電控制電路+內存供電PWM電路。
5VDUAL供電控制電路，控制內存PWM電路的輸入電源在S3狀態下采用5VSB，而在S0、S1、S2狀態下采用+5V。兩種供電的切換受制于IO的71腳產生的O_3VSBSW#信號，這個信號在S3狀態下為低電平。本部分電路細節見“圖 11 內存5VDUAL電路+1.5VDUAL（PWM）電路”。
2. 內存供電電路
本機內存電路原理 
圖 11 內存5VDUAL電路+1.5VDUAL（PWM）電路
+5VDUAL電路
此電路是為了實現在S3即STR狀態（Suspend toRAM，掛起到內存）下，電源仍然繼續為內存供電。
當系統處于S0、S1、S2狀態下時，IO芯片的71腳輸出經8.2K的PR636送來的3.3V高電平，NPN型三極管PQ617導通，拉低NPN型三極管PQ600的B極電壓，PQ600截止，經8.2K電阻PR7027送來的+12V電壓在N溝道MOS管PQ602的G極上得以保持，PQ602導通，將+5V輸出到內存電壓轉換電路中；PQ617的導通，也同時拉低了PQ606的B極電壓，PQ606截止，繼而P溝道MOS管PQ604因G極保持了5VSB電壓而截止，所以，在系統處于S0、S1、S2狀態下時，5VSB并不送入內存電壓轉換電路中。注：PQ617導通，拉低PR600和PQ600的B極電壓時，并不會拉低電壓來源相同的IO的71腳電壓，因為這兩個分支電路中隔著PR7028這個8.2K的電阻呢。
當系統轉入S3狀態時，IO芯片經過內部電路將其71腳的電壓拉低到地，于是PQ617截止，PQ600便獲得由PR600送來的3.3V電壓進而導通，這就導致PQ602的G極電壓被拉低到0，PQ602截止，5VDUAL從+5V獲得電壓的這一通路被截斷；但與此同時，NPN型三極管PQ606是導通的，PQ606的導通拉低了P溝道MOS管PQ604的G極電壓到0，PQ604導通，將5VSB輸出到內存電壓轉換電路中。
內存電壓轉換電路
華碩B85系列主板的內存供電通常采用RT8120PWM芯片。當給PWM芯片的第5腳和MOS管獲得了5VDUAL供電后，芯片通過內部的誤差放大器產生一個開啟電壓（讓PWM芯片停止工作，只需在外部使用一個MOS管拉低此腳電壓即可，本主板未設計這樣作用的MOS管）。
圖 12 內存電壓轉換電路
圖 13 內存5VDUAL電路+1.5VDUAL（PWM）電路點位圖截圖
內存VTT供電
內存供電產生1.5V后，由線性穩壓器PU202隨之產生0.75V的+VTTDDR。線性穩壓器PU202的型號為UP0109PS，可與APL5337代換，此芯片為8支腳，只要VIN、VCNTL、REFIN正常，輸出端VOUT就會得到0.75V的電壓。VCNTL腳的電壓來自于產生內存供電的5VDUAL；REFIN腳電壓是0.75V，由1.5V內存供電經兩個1K的電阻分壓得到，此腳電壓還受控于3VSB和SLP_S3#。
圖 14 內存VTT供電電路圖
圖15 內存VTT供電電路點位圖截圖
3. PCH（南橋）供電
B85主板PCH所需5種供電概述
INTEL 929138/82B85/SR178（PCH）工作，需要3VSB_ATX（本主板稱為+3VSB_ERP）、+1.05ME、+3V、1.5V（本主板稱為+1.5VLX）、+1.05PCH共5種電壓的供電給PCH內部不同的模塊使用。本主板在待機時便獲得了3VSB_ATX和+1.05ME；觸發后，ATX電源的+3.3V即具備；1.5V由LDO轉換得到；+1.05PCH則由“AS358運放+N溝道MOS管”組合得到。
14、VCC可能是指+1.05PCH和1.5V橋供電吧。
+1.5V供電
PCH的1.5V供電，由線性穩壓器PU301轉換+3V供電得到，其基準電壓由TPU（O2U1, KB3722Q）的29腳提供（P_+1.5VLX_REF_10）。
PU301這個LDO與轉換+VTTDDR的PU202的型號一樣，都為UP0109PS，只是這個PCH的+1.5VLX供電電路要簡單一些。維修中遇到過TPU輸出的P_+1.5VLX_REF_10電壓過低，造成橋不工作的故障，換了TPU芯片好了的。
圖 16 PCH的+1.5VLX供電電路圖
圖 17 +1.5V供電電路點位圖截圖
+1.05PCH供電
+1.05PCH是從內存供電電壓轉換來的，轉換的方式是“運放+N溝道MOS” 。這種直流電壓轉換方式比“PWM芯片+雙MOS管”的方式成本要低，比使用LDO得到的電壓更精確。
ATX電源輸出+12V的瞬間，運放AS358（PU3001）同相輸入端也從TPU（O2U1）獲得1.05V的電壓，此時MOS管PQ3008的S端尚無電壓，這樣，PU3001的7腳輸出高電平，PQ3008導通；PQ3008導通后，從其S極輸出的電壓等于或超過1.05V后，此情況通過PC3014被PU3001的6腳（反相輸入端）感知，PU3001的7腳便輸出低電平，MOS管PQ3008則截止。這樣在運放AS358（PU3001）的控制下，MOS管PQ3008的S端便總是輸出1.05V的電壓。
圖 18 +1.05PCH供電電路圖
圖 19 +1.05PCH供電電路點位圖截圖
4. CPU核心供電
CPU核心供電概述
15、VccCore_CPU 橋供電1.05V_PCH正常后，經過轉換電路送給VRM芯片作為開啟信號，以便讓VRM開始工作產生預設電壓1.7V。
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